توضیحات
خرید BSM50GD120DN2 پایه کوتاه در شار الکترونیک
خرید BSM50GD120DN2 ماژول IGBT سه‌فاز برند Infineon با ولتاژ 1200 ولت و جریان 50آمپر
مشخصات فنی ترانزیستور BSM50GD120DN2
• ساختار 6Pack-IGBT Module
• ولتاژ کلکتور‌امیتر (VCES): 1200V
• جریان کلکتور (IC): 72A در TC = 25°C و 50A در TC = 80°C
• توان تلفاتی (Ptot): 350W برای هر IGBT در TC = 25°C
• محدوده دمای نگهداری (Tstg): از 55- تا 150+ درجه سانتی‌گراد
• ولتاژ گیت‌امیتر (VGE): ±20V
• ولتاژ آستانه گیت (VGE(th)): از 4.5V تا 6.5V
• ولتاژ اشباع کلکتور‌امیتر (VCE(sat)): مقدار معمول 2.5V و حداکثر 3V
• مقاومت حرارتی پیوند به کیس (RthJC): حداکثر 0.35K/W
• ولتاژ عایقی (Vis): 2500Vac
• برند: اینفینیون
ابعاد و وزن ماژول
طول حداکثر 107.5 میلی‌متر، عرض 45 میلی‌متر و ارتفاع کلی 20.5±1 میلی‌متر
180 گرم
ساختار داخلی BSM50GD120DN2
دیتاشیت ترانزیستور BSM50GD120DN2
جهت دانلود دیتاشیت می‌توانید از اینجا اقدام نمایید.
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.