توضیحات
خرید HCNW4506 در شار الکترونیک
خرید HCNW4506 درایور IGBT/MOSFET در شارالکترونیک
مشخصات فنی درایور HCNW4506
• نوع قطعه: درایور IGBT/MOSFET
• ولتاژ تغذیه (VCC): از 4.5 تا 30 ولت
• ولتاژ خروجی (VO): از 0 تا 30 ولت
• جریان ورودی در حالت روشن (IF ON): از 10 تا 20 میلیآمپر
• حداکثر جریان ورودی متوسط (IF AVG): 25 میلیآمپر
• حداکثر جریان ورودی پیک (IF PEAK): 50 میلیآمپر
• حداکثر جریان خروجی متوسط (IO AVG): 15 میلیآمپر
• ولتاژ مستقیم LED ورودی (VF): تیپیکال 1.6 ولت و حداکثر 1.85 ولت در جریان 10 میلیآمپر
• ولتاژ خروجی Low (VOL): تیپیکال 0.3 ولت و حداکثر 0.6 ولت
• نسبت انتقال جریان (CTR): حداقل 44 درصد در IF برابر 10 میلیآمپر
• توان تلفاتی خروجی (Output Power Dissipation): حداکثر 100 میلیوات
• توان تلفاتی کل (Total Power Dissipation): حداکثر 145 میلیوات
• دمای کاری (Operating Temperature): از 40- تا 100+ درجه سانتیگراد
• دمای نگهداری (Storage Temperature): از 55- تا 125+ درجه سانتیگراد
• تأخیر انتشار High-to-Low (tPHL): حداکثر 400 نانوثانیه با مقاومت Pull-Up خارجی 20 کیلواهم
• تأخیر انتشار Low-to-High (tPLH): حداکثر 550 نانوثانیه با مقاومت Pull-Up خارجی 20 کیلواهم
• اعوجاج عرض پالس (PWD): حداکثر 450 نانوثانیه با مقاومت Pull-Up خارجی 20 کیلواهم
• ایمنی در برابر گذرای حالت مشترک (CMTI): حداقل 15 کیلوولت بر میکروثانیه در VCM برابر 1500 ولت
• ولتاژ تحمل ایزولاسیون ورودی به خروجی (VISO): 5000Vrms به مدت 1 دقیقه
• حداکثر ولتاژ کاری ایزولاسیون (VIORM): برابر 1414Vpeak
• مقاومت Pull-Up داخلی: تیپیکال 20 کیلواهم
• پکیج: 8-PIN
• استانداردهای ایمنی: UL 1577، CSA و IEC/EN/DIN EN 60747-5-2
• برند: Broadcom
ابعاد و ساختار داخلی درایور HCNW4506
دیتاشیت HCNW4506
جهت دانلود دیتاشیت می توانید از اینجا اقدام نمایید.
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.