توضیحات
خرید BSM50GX120DN2 در شار الکترونیک
خرید BSM50GX120DN2 ماژول IGBT برند Infineon با ساختار 6PACK-IGBT MODULE در شارالکترونیک
مشخصات فنی ترانزیستور BSM50GX120DN2
• نوع قطعه : ماژول IGBT قدرت
• ساختار : 6PACK-IGBT MODULE
• ولتاژ کلکتورامیتر — VCE: برابر 1200V
• جریان کلکتور — IC: برابر 78A در TC=25°C و 50A در TC=80°C
• جریان پیک کلکتور — ICpuls: برابر 156A در TC=25°C و 100A در TC=80°C
• توان تلفاتی — Ptot: برابر 400W برای هر IGBT در TC=25°C
• حداکثر دمای پیوند — Tj: برابر +150°C
• محدوده دمای نگهداری — Tstg: از -40°C تا +125°C
• ولتاژ گیتامیتر — VGE: برابر ±20V
• ولتاژ آستانه گیتامیتر — VGE(th): حداقل 4.5V، تیپیکال 5.5V و حداکثر 6.5V
• ولتاژ اشباع کلکتورامیتر — VCE(sat): تیپیکال 2.5V و حداکثر 3V در Tj=25°C؛ تیپیکال 3.1V و حداکثر 3.7V در Tj=125°C
• زمان تأخیر روشنشدن — Turn-On Delay Time: تیپیکال 44ns و حداکثر 100ns
• زمان صعود — Rise Time: تیپیکال 56ns و حداکثر 100ns
• زمان تأخیر خاموششدن — Turn-Off Delay Time: تیپیکال 380ns و حداکثر 500ns
• زمان نزول — Fall Time: تیپیکال 70ns و حداکثر 100ns
• ظرفیت ورودی — Ciss: تیپیکال 3.3nF
• ظرفیت خروجی — Coss: تیپیکال 0.5nF
• ظرفیت انتقال معکوس — Crss: تیپیکال 0.25nF
• ولتاژ مستقیم دیود — VF: تیپیکال 2.3V و حداکثر 2.8V در Tj=25°C
• زمان بازیابی معکوس دیود — Reverse Recovery Time: تیپیکال 0.2µs
• مقاومت حرارتی IGBT — RthJC: حداکثر 0.3K/W
• مقاومت حرارتی دیود — RthJCD: حداکثر 0.6K/W
• ولتاژ ایزولاسیون — Vis: برابر 2500VAC به مدت 1 دقیقه
•پکیج: ECONOPACK 2K
• وزن ماژول: حدود 250g
• برند: Infineon
ساختار داخلی ترانزیستور BSM50GX120DN2
دیتاشیت ترانزیستور BSM50GX120DN2
جهت دانلود دیتاشیت میتوانید از اینجا اقدام نمایید.
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.