توضیحات
خرید GD15PJK120L1S در شار الکترونیک
خرید GD15PJK120L1S ماژول IGBT برند STARPOWER Semiconductor با ولتاژ 1200 ولت و جریان نامی 15 آمپر در شارالکترونیک
مشخصات فنی ترانزیستور GD15PJK120L1S
• نوع قطعه: 7PACK-IGBT MODULE
• ولتاژ کلکتورامیتر VCES: برابر 1200V
• جریان کلکتور: برابر 15A در TC=80°C
• توان تلفاتی Ptot: برابر 147W برای بخش IGBT اینورتر
• حداکثر دمای پیوند Tj: برابر 150°C
• محدوده دمای نگهداری TSTG: از -40°C تا +125°C
• ولتاژ گیتامیتر VGES: برابر ±20V
• ولتاژ آستانه گیتامیتر VGE(th): حداقل 4V، تیپیکال 5.4V و حداکثر 6V
• ولتاژ اشباع کلکتورامیتر VCE(sat): تیپیکال 2.46V در 25°C و 2.85V در 125°C با IC=15A و VGE=15V
• زمان تأخیر روشنشدن Turn-On Delay Time: تیپیکال 50n
• مقاومت حرارتی IGBT اینورتر — RθJC: حداکثر 0.85K/W
• وزن ماژول: حدود 36g
• برند: STARPOWER Semiconductor
ساختار داخلی ترانزیستور GD15PJK120L1S
ابعاد GD15PJK120L1S
- طول کل:55.9mm
- عرض کل:45.6mm
- ارتفاع کل:20.5mm
ترانزیستورهای مشابه خرید GD15PJK120L1S
•ماژول نو GD15PJK120L1S (این لینک)
دیتاشیت ترانزیستور GD15PJK120L1S
جهت دانلود دیتاشیت میتوانید از اینجا اقدام نمایید.
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.